HQ1108 Serie Hochstrom-Leistunginduktivität
Die HQ1108 Serie Hochstrom-Leistunginduktivität wird mit einem geschirmten Kern und einem Verbundstrukturdesign hergestellt, speziell entwickelt für PDAs und Laptops, um den niedrigsten DCR, hohe Strombelastbarkeit und geringe Hörgeräusche zu gewährleisten. Das Produkt verfügt über eine robuste und zuverlässige Struktur mit einer maximalen Höhe von 8mm und einer maximalen Grundfläche von 15,5*11mm. Es entspricht den Anforderungen der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG. Es ist geeignet für PDAs, Laptops und Server. Es ist eine ideale Wahl für Hochstrom-Leistunginduktivitätsanwendungen im Energiemanagement und in der DC-DC-Wandlung.
Merkmale
Niedrigster DCR pro Mikrohenry
Höhe – maximal 8mm
Grundfläche – maximal 15,5*11mm
Nennstrom – bis zu 50Apk
Induktivitätsbereich – 0,14µH bis 2,25µH
Verarbeitet hohe transiente Ströme ohne Sättigung
Ultra-geringe Hörgeräusche
Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
ANWENDUNGEN:
HINWEISE:
Hinweis: Produktspezifikationen können angepasst werden.
FAQ
F: Wie beantrage ich Muster? Was ist die Lieferzeit?
A: Sie können eine Musteranfrage über unsere Website oder per E-Mail einreichen. Muster sind kostenlos und werden innerhalb von 3-5 Werktagen versendet. Die Lieferzeit für Großaufträge beträgt in der Regel 2-8 Wochen; kundenspezifische Produkte werden separat bestätigt.
F: Unterstützen Sie kleine Probeaufträge?
A: Ja. Kleine Probeaufträge (unterhalb des Standard-MOQ) können verhandelt werden und erhalten die gleichen Qualitätsstandards und Lieferzusagen wie Großaufträge. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für Details.
F: Welche Bedeutung haben der geschirmte Kern und die Verbundstruktur für Anwendungen?
A: Der geschirmte Kern reduziert elektromagnetische Störungen, während die Verbundstruktur ultra-geringe Hörgeräusche bietet. Die Fähigkeit, hohe transiente Ströme zu verarbeiten, verhindert Sättigung und macht ihn geeignet für Hochstrom-POL-Wandler und flache Hochstrom-Netzteile. Er ist geeignet für Anwendungen wie PDAs, Laptops und Server.