RH35 Ferritkern für automatische Bestückung auf Leiterplatten
Der RH35 Ferritkern ist speziell für die automatische Bestückung auf Leiterplatten konzipiert. Er verwendet eine bedrahtete Struktur und einen Nickel-Zink (NiZn) Ferritkern, der eine ausgezeichnete Hochfrequenz-EMI-Unterdrückung über einen breiten Frequenzbereich bietet. Das Produkt verhindert effektiv unerwünschte Signalrückkopplungen und parasitäre Schwingungen. Es unterdrückt Spannungs- und Stromspitzen in Schaltungen und bietet zuverlässigen Schutz für Halbleiterbauelemente. Mehrere Modelle sind verfügbar, um unterschiedliche Anforderungen an die Störunterdrückung zu erfüllen. Lötverfahren unterstützen sowohl Wellenlöten als auch Reflow-Löten. Die Biegefestigkeit der Anschlüsse beträgt ≥24,5N. Es wird häufig zur EMI-Unterdrückung auf Leiterplatten, zur Netzfilterung, zur Unterdrückung von Störsignalen auf Signalleitungen und in verschiedenen Schutzschaltungen für Halbleiterbauelemente eingesetzt.
Merkmale
Anwendungen
Hinweise:
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FAQ
F: Was sind die Eigenschaften von Nickel-Zink (NiZn) Ferritkernen?
A: Nickel-Zink-Ferrit bietet einen hohen spezifischen Widerstand und ausgezeichnete Breitbandeigenschaften. Es bietet geringe Kernverluste bei hohen Frequenzen und eignet sich für EMI-Unterdrückungsanwendungen im MHz- bis GHz-Bereich. Im Vergleich zu Mangan-Zink-Ferrit ist NiZn-Material besser für die Hochfrequenz-Störunterdrückung geeignet.
F: Wie erreicht der bedrahtete Ferritkern die automatische Bestückung?
A: Die RH35-Serie verwendet standardisierte Pin-Abstände und Anschlussabmessungen. Sie ist kompatibel mit automatischen Bestückungsmaschinen (automatische vertikale/horizontale Bauteilbestücker), was eine schnelle automatisierte Produktion ermöglicht und die Effizienz der Leiterplattenmontage verbessert.
F: Wie unterdrückt dieses Produkt Spannungs- und Stromspitzen?
A: Der Ferritkern weist bei hohen Frequenzen eine hohe Impedanz auf, wandelt die Energie von Hochfrequenzspitzen in Wärme um und leitet diese ab. Dies unterdrückt Spannungs- und Stromspitzen und schützt nachgeschaltete Halbleiterbauelemente vor transienten Überspannungs-/Überstromspitzen.