RF-Chip-Widerstand 2W-800W DC-18GHz für Basisstationen und Prüfgeräte

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RF Chip Resistor 2W-800W DC-18GHz for Base Stations and Test Equipment
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Eigenschaften
Technische Daten
Perating Frequenz: 50-60Hz
Isolationsspannung: 3kV bis 5kV
Merkmal: Feldmessung elektrischer Energie
Ampere: 50-300A
Nennkapazität: 1,5VA-2,5VA
Umwelt: Wasserdicht
Genauigkeit: 0,5
Hervorheben:

Basisstationen RF-Chip-Widerstand

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DC-18GHz-RF-Chip-Widerstand

,

2W-800W RF-Chip-Widerstand

Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: SHINHOM
Zertifizierung: RoHS/ISO/UL/CE/IATF16949/CNAS
Modellnummer: CT/CR
Zahlung und Versand AGB
Lieferzeit: 2~8 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Produkt-Beschreibung

Diese Reihe vonGeräte für das Herstellen von Geräten, Endungen und Dämpfer für Hochfrequenz-Stromkreise ausgelegt.mit einer hervorragenden Wärmeableitung und thermischer Stabilität. Die Standardimpedanz beträgt 50Ω. Der Leistungsbereich beträgt 2W bis 800W. Der Frequenzbereich beträgt DC bis 18GHz. Es gibt mehrere Pakettypen, darunter Chip-, Blei- und Flanschfeststile.Diese passen sich an verschiedene Anforderungen an das Layout der HF-Schaltung an.Sie werden in Kommunikationsbasestationen, Prüf- und Messgeräten, Leistungsverstärkern, Isolatoren weit verbreitet.

Eigenschaften
  • Standardabweichung 50Ω
  • Toleranz für Widerstände: ±3%, ±5%
  • Leistungsbereich 2W bis 800W
  • Frequenzbereich von 18 GHz bis 18 GHz
  • Substratmaterial AlN, Al2O3
  • Der Temperaturkoeffizient ± 150 ppm/°C
  • Betriebstemperatur von -55°C bis +175°C
  • Elektrodenmaterial Nickel + Silber
Auswahltabelle der Produktspezifikationen
Reihe Art der Packung Leistungsbereich (W) Impedanz (Ω)
CT-Serie Flanschmontage 2-800 50
CR-Serie Chip (SMD) 0.2 bis 150 5 bis 3000
T-Serie mit Blei 20 bis 300 50
R-Serie mit Blei 20 bis 250 5 bis 3000
Eine Reihe mit Blei 100 bis 250 50
TX-Serie Flanschmontage 2-800 50
RX-Serie Flanschmontage 20 bis 250 5 bis 3000
AX-Serie Flanschmontage 100 bis 250 50
QB-Serie Flanschmontage - -
Anwendungen
  • Verstärker der Leistung von Basisstationen
  • HF-Prüf- und Messgeräte
  • Satellitenkommunikationsterminals
  • HF-Isolatoren und -zirkulatoren
  • Fernsehübertragungsausrüstung
  • Medizinische HF-Geräte
  • Flugzeugsysteme
Häufig gestellte Fragen

F: Welche Vorteile hat AlN-Substrat im Vergleich zu Al2O3?

A: AlN (Aluminiumnitrid) bietet eine höhere Wärmeleitfähigkeit (ca. 170 W/mK) und bietet eine bessere Wärmeableitung für Hochleistungs-HF-Anwendungen.Al2O3 (Aluminiumoxid) ist kostengünstiger und für kleine bis mittlere Anwendungen geeignetBeide bieten eine gute Dämmung und thermische Stabilität.

F: Welche Auswirkungen hat VSWR auf HF-Systeme?

A: Je näher der VSWR an 1:1, desto besser ist die Impedanz-Matching, was zu einer geringeren Signalreflexion und einer höheren Leistungsübertragungseffizienz führt.20:1, was eine hervorragende Impedanz-Matching über einen breiten Frequenzbereich hinweg gewährleistet und die Signalreflexion und den Stromverlust verringert.

F: Wie wählt man die Leistungsbewertung für Endgeräte?

A: Die Nennleistung des Endgeräts sollte 1,5 bis 2 mal höher sein als die tatsächliche HF-Leistung, um einen langfristigen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.Auch die Umgebungstemperatur und die Wärmeabbaubedingungen sollten berücksichtigt werden.. Bei Betrieb über 70°C ist eine Abwärmung pro Leistungsabwärmungskurve erforderlich.

F: Welche Pakettypen werden für diese Serie unterstützt?

A: Drei Pakettypen werden unterstützt: Chip (SMD), Leaded und Flange Mount. Chip-Typ eignet sich für automatisierte SMT-Produktionslinien. Leaded-Typ eignet sich für manuelles Löten und Prototyping.Flanschmontage bietet die beste Wärmeableitung und eignet sich für Hochleistungsanwendungen.

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