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GT0513 Gate-Driver-Transformator mit 4000Vrms Grundisolation, Push-Pull-Topologie und AEC-Q200-Konformität für IGBT- und MOSFET-Gate-Drive

5000
MOQ
GT0513 Gate Driver Transformer with 4000Vrms Basic Isolation, Push-Pull Topology & AEC-Q200 Compliance for IGBT and MOSFET Gate Drive
Eigenschaften Galerie Produkt-Beschreibung Wir Reden Jetzt.
Eigenschaften
Technische Daten
Grundlegende Isolation: 4000Vrms
Kontinuierliche Isolation: 600 Vrms
Leckageinduktivität: 200–350 nH
Primärinduktanz: 200µH
Interwinding-Kapazitanz: ≤159pF
Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: SHINHOM
Zertifizierung: RoHS/ISO/UL/CE/IATF16949/CNAS
Modellnummer: GT0513
Dokumentieren: GT0513 Seires_.pdf
Zahlung und Versand AGB
Lieferzeit: 2~8 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Produkt-Beschreibung
GT0513 Gate-Treiber-Transformator – Hochzuverlässiger Push-Pull für IGBT-, MOSFET- und BMS-Isolierung
DerGT0513 Gate-Treiber-Transformatorist ein kompakter Gegentakttransformator fürIGBT- und MOSFET-Gate-AntriebUndBMS-Isolierungin Automobil- und Industriesystemen. Hergestellt unterIATF16949und konformAEC-Q200, DasTrenntransformatorliefert stabile Leistung von -40 °C bis +105 °C.
Hauptmerkmale
  • 4000 Vrms Basisisolierung(600 Veff kontinuierlich) mit hoher Kriechstrecke – sorgt für eine sichere galvanische Trennung zwischen Primär- und Sekundärkreisen
  • Push-Pull-Topologie- Ideal für isolierte Hochfrequenz-Gate-Ansteuerung und DC-DC-Wandler
  • Mehrere Windungsverhältnisse- von 1CT:1,2CT bis 1CT:7CT, unterstützt verschiedene Gate-Spannungspegel
  • Geringe Streuinduktivität- 200–350 nH typ., getestet bei 100 kHz
  • Minimale Primärinduktivität- 200 µH für effiziente Energieübertragung
  • Sehr niedriger DCR- Nur 0,13 Ω auf der Primärseite, wodurch Leitungsverluste reduziert werden
  • Geringe Wicklungskapazität- ≤159pF, minimiert Signalverzerrung
  • Offenes, nicht gekapseltes Design- Einfache Leiterplattenmontage, hervorragende thermische Leistung
Anwendungen
  • IGBT-/MOSFET-Gate-Ansteuerung in EV/HEV-Wechselrichtern
  • BMS-Isolierung (Haupt- und redundante Kommunikation)
  • Isolierte Push-Pull- und Flyback-Netzteile
  • DC-DC-Wandler, die eine verstärkte Isolierung erfordern
Für einen zuverlässigenGate-Treiber-TransformatorIn Umgebungen mit begrenztem Platzangebot und hohen Temperaturen ist dieGT0513 Trenntransformatorist die bewährte Wahl. Es istPush-PullArchitektur und AEC-Q200-Konformität machen es besonders geeignet für das Batteriemanagement von Kraftfahrzeugen und Bordladesysteme.
Größe und Tag:

high frequency isolation transformer

high frequency power transformer

high frequency switching transformer

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