Entwickelt für die präzise Steuerung von IGBT/MOSFET-Leistungsmodulen, nutzt unsere SMD-Transformator Serie die Ringkerntechnologie, um eine überlegene magnetische Kopplung und minimale EMI-Strahlung zu erzielen. Mit verstärkter Isolation, die den 4,5-KVAC-Isolationsstandards (getestet bei 60 Sekunden) entspricht, gewährleistet sie einen sicheren Betrieb in industriellen Motorantrieben und 800-V-EV-Batteriesystemen. Das oberflächenmontierte Design spart 50 % der Leiterplattenfläche und unterstützt gleichzeitig eine Ausgangsleistung von 5 W bei 65 kHz – was ein robustes Schalten ermöglicht, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Parameter | Wert (GT09-Serie) | Testbedingung |
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Windungsverhältnis | 1:1,25±1,1 bis 1:1,71±1,1 (modellabhängig) | - |
Primärinduktivität | 470μH–750μH Min | 50–100 kHz, 0,1 V (HP4284A) |
Streuinduktivität | ≤4μH Max (GT09-001) | 100 kHz, 0,1 V |
DCR Primär | 0,085Ω–0,115Ω Max | DC-Mikroohmmeter |
Eingangsspannung | 13,5 V–15 V DC | Dauerbetrieb |
Ausgangsstrom | Bis zu 330 mA (GT09-001) | 25°C Umgebungstemperatur |
Isolationsspannung | 4,5 KVAC, 60 s | Hi-Pot-Test |
Betriebstemperatur | –40°C bis +125°C | IEC 60068-2 |
Wichtiger Hinweis: Halten Sie einen Kriechwegabstand von ≥8 mm auf der Leiterplatte ein, um die volle Isolationsintegrität zu gewährleisten.
Isoliert Niederspannungs-Steuerschaltungen von 800-V-Batterie-Traktionswechselrichtern.
Kombinieren mit: Stromsensoren für Überstromschutz.
Stellt Gate-Treiberspannung für SiC-MOSFETs in SPS-gesteuerten Servosystemen bereit.
Kombinieren mit: EMI-Filtern zur Unterdrückung von 65-kHz-Schaltgeräuschen.
Ermöglicht die Anpassung des Tastverhältnisses (10 %–50 %) in Solar-Mikrowechselrichtern.
Kombinieren mit: Leistungsinduktivitäten für DC/DC-Hilfsversorgungen.
F: Wie unterscheidet sich dies von Standard-Leistungstransformatoren?
A: Speziell für Gate-Treiber-Transformator Anwendungen entwickelt:
Höhere Schaltfrequenz (50–65 kHz vs. 50/60 Hz)
Geringere Streuinduktivität (≤4μH vs. >100μH)
Verstärkte Isolation (4,5 KVAC vs. 2,5 KVAC typisch)
F: Kann es Kurzschlüsse in Halbbrückenschaltungen eliminieren?
A: Ja. Die Ringkern-SMD-Transformator’s enge Kopplung (±1,1 % Verhältnis-Toleranz) minimiert die Laufzeitverzögerungsschiefe. Kombinieren Sie dies mit Totzeit-Controllern für optimale Ergebnisse.
F: Kundenspezifische Windungsverhältnisse werden unterstützt?
A: Standardverhältnisse 1:1,25/1,4/1,5/1,71 (GT09-001 bis 004). Kontaktieren Sie uns für kundenspezifische Wicklungen.