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EL-Serie Breittemperatur-Flyback-Transformator für Telekommunikationsgeräte

EL-Serie Breittemperatur-Flyback-Transformator für Telekommunikationsgeräte

Preis: Verhandelbar MOQ: Verhandlung
Leistungsbereich 10 bis 18 W
Kern EL19
Spezifikation ROHS, ISO9001
Produktname Hochfrequenz-Leistungstransformator der EL-Serie für Leiterplatten
Betriebstemperatur -40 ºC bis +125 ºC
Hochfrequenz-Flyback-Transformatoren für DC/DC-Wandler und Schaltnetzteilanwendungen mit kundenspezifischen Designs erhältlich

Hochfrequenz-Flyback-Transformatoren für DC/DC-Wandler und Schaltnetzteilanwendungen mit kundenspezifischen Designs erhältlich

MOQ: 5000
Operations-Frequenz Hochfrequenz
Kernstrukturen Mehrfache Wahlen
Isolationsleistung Zuverlässig
Wickeldesign Anpassbar
Befestigung von Konfiguration Konfigurierbar
56uH 10KHz EE5.0 SMD-Signaltransformator mit Ferritkern für Flash-Rohr-Anwendungen

56uH 10KHz EE5.0 SMD-Signaltransformator mit Ferritkern für Flash-Rohr-Anwendungen

Preis: Verhandelbar MOQ: Verhandlung
Name Signaltransformatoren
Kurvenverhältnis 1:10
Kernmaterial EE5.0 Ferritkern
Betriebstemperatur -25℃bis+125℃
Lagertemperatur -25°C bis +85°C
SMD-Telekommunikationstransformator mit Hochfrequenzleistung und exzellenter Abschirmungsstruktur für kundenspezifische elektrische Parameter

SMD-Telekommunikationstransformator mit Hochfrequenzleistung und exzellenter Abschirmungsstruktur für kundenspezifische elektrische Parameter

MOQ: 5000
Montageart Oberfläche-Berg
Frequenzleistung Hochfrequenz
Abschirmung von Leistung Exzellent
PCB -Kompatibilität Hochdichte
EMI -Unterdrückung Gut
Hochfrequenz-Telekommunikationstransformator für ADSL- und Set-Top-Box-Anwendungen mit kompakter SMD-Konstruktion und hervorragender Abschirmung

Hochfrequenz-Telekommunikationstransformator für ADSL- und Set-Top-Box-Anwendungen mit kompakter SMD-Konstruktion und hervorragender Abschirmung

MOQ: 5000
Operations-Frequenz Hochfrequenz
Montageart Oberfläche-Berg
Designtyp Kompaktes SMD
Abschirmung von Leistung Exzellent
Anpassbare Parameter Induktivität, Isolation, Impedanz
Hochfrequenz-SMPS-Transformator der Baureihe ERL28 für Ladegeräte und UPS

Hochfrequenz-SMPS-Transformator der Baureihe ERL28 für Ladegeräte und UPS

Preis: Verhandelbar MOQ: 5000 Stück
Kernmaterial EER28L Ferritkern
Leistung 30 ~ 60W
Spule 9+9-polig
Isolierung 4000 V primär zu sekundär
Produktname EER28 Hochfrequenztransformator
Hochfrequenzpulstransformator PQ3220 mit hohem Sättigungsfluss für Ladegeräte und UPS

Hochfrequenzpulstransformator PQ3220 mit hohem Sättigungsfluss für Ladegeräte und UPS

Preis: Verhandelbar MOQ: 5000 Stück
Kernmaterial Ferritkern
Primärinduktanz 450uH
Leckageinduktivität 6,0 uH max
Spule T375J 6+6PIN
Betriebstemperatur -25℃ bis +85℃
Hochfrequenz-Schaltnetzteiltransformator der ETD-Serie für Ladegeräte und USVs

Hochfrequenz-Schaltnetzteiltransformator der ETD-Serie für Ladegeräte und USVs

Preis: Verhandelbar MOQ: Verhandlung
Betriebsfrequenz Hochfrequenz
Kernmaterial ETD Ferritkern
Leistung 60 ~ 180 W
Produktname mit einer Leistung von mehr als 50 kW
Anwendung Energie, elektronisch, Instrument, Beleuchtung, Gleichrichter, Audio, Ladegerät, Lampe, Telekommunik
EF20 8+8 Pin Ferrit Kern Bobbin mit UL 94V-0 Flammschutz-PET-Material für Flyback-Transformatoren

EF20 8+8 Pin Ferrit Kern Bobbin mit UL 94V-0 Flammschutz-PET-Material für Flyback-Transformatoren

MOQ: 5000
Pin-Konfiguration 8+8-polig
Material HAUSTIER
Flammenbewertung UL 94V-0
Kernkompatibilität EF20 Ferritkern
UL-Materialdatei E14797
GT0513 Gate-Driver-Transformator mit 4000Vrms Grundisolation, Push-Pull-Topologie und AEC-Q200-Konformität für IGBT- und MOSFET-Gate-Drive

GT0513 Gate-Driver-Transformator mit 4000Vrms Grundisolation, Push-Pull-Topologie und AEC-Q200-Konformität für IGBT- und MOSFET-Gate-Drive

MOQ: 5000
Grundlegende Isolation 4000Vrms
Kontinuierliche Isolation 600 Vrms
Leckageinduktivität 200–350 nH
Primärinduktanz 200µH
Interwinding-Kapazitanz ≤159pF
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