Hochstrom-Ungeschirmter SMD-Leistungssెండు SPI-HC-Serie für Niederspannungs-DC-DC-Wandler

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 High Current Unshielded SMD Power Inductor SPI-HC Series for Low Voltage DC-DC Converters
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Eigenschaften
Technische Daten
Induktivität: 0,47 uH bis 100 uH
Toleranz: K,M,N
Testhäufigkeit: 100 kHz, 0,25 V
Typ: örtlich festgelegter Induktor
Struktur der Wicklung: Einzelspule
Temp.: -40℃ zu + 85℃
Hervorheben:

Hochstrom-SMD-Leistungsinduktor

,

Ungeschirmter Leistungssెండు für DC-DC-Wandler

,

Niederspannungs-SMD-Sెండు SPI-HC-Serie

Grundinformation
Herkunftsort: China
Markenname: Shinhom
Zertifizierung: RoHS
Modellnummer: SPI-HC-Serie
Zahlung und Versand AGB
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 4 bis 8 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000000/Monat
Produkt-Beschreibung

SPI-HC Serie Hochstrom-SMD-Leistungsinduktivitäten, Elektronische Komponente SMD Ungeschirmte Leistungs-Chipinduktivität

Die SPI-HC Serie Hochstrom-Ungeschirmte SMD-Leistungsinduktivität ist für Niederspannungs-DC-DC-Wandler mit hohem Strom und Mikroprozessor-Netzteilanwendungen konzipiert. Der Nennstrom beträgt bis zu 51,7 A. Das Produkt verfügt über ein flaches Gehäuse und einen extrem niedrigen DCR, wodurch Leistungsverluste effektiv reduziert und die Systemeffizienz verbessert werden. Das flache Top-Design eignet sich für die automatische Pick-and-Place-Bestückung. Die ungeschirmte offene Struktur bietet Kostenvorteile als Kernwettbewerbsfähigkeit. Die Leerlaufinduktivität wird bei 100 kHz / 250 Veff gemessen. Der Nennstrom ist definiert als der Effektivstromwert, der bei einer Umgebungstemperatur von 85 °C einen Temperaturanstieg von etwa 40 °C verursacht. Er wird häufig in Niederspannungs-DC-DC-Wandlern mit hohem Strom, 3,3-V-Mikroprozessor-Netzteilen und CPU-Leistungsmanagement eingesetzt.

MERKMALE

  • Strom bis zu 51,7 A
  • Flache Oberseite für Pick & Place
  • Sehr niedriger Gleichstromwiderstand
  • Flache Bauform

ANWENDUNGEN

  • Ideal für DC-DC-Wandler mit hohem Strom und niedriger Spannung
  • Entwickelt für 3,3-V-Mikroprozessoren

TECHNISCHE INFORMATIONEN

  • Testparameter für Leerlaufinduktivität: 100 kHz, 250 Veff, 0,0 A DC.
  • Effektivstrom für eine ungefähre Temperaturerhöhung von 40 °C bei einer Umgebungstemperatur von 85 °C.
  • Spitzenstrom für eine etwa 30%ige Abnahme.
  • DCR-Grenzwerte 20 °C.
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis + 85 °C
Hochstrom-Ungeschirmter SMD-Leistungssెండు SPI-HC-Serie für Niederspannungs-DC-DC-Wandler

Hinweis: Produktspezifikationen können angepasst werden.

FAQ

F: Was sind die Vorteile eines extrem niedrigen DCR?

A: Ein extrem niedriger DCR bedeutet sehr geringe Leistungsverluste (I²R-Verluste), wenn hoher Strom durch die Wicklung fließt. Dies trägt zur Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads von DC-DC-Wandlern und zur Reduzierung des Temperaturanstiegs bei. Es ist besonders geeignet für Niederspannungs-Hochstromanwendungen (wie z. B. 3,3-V-Mikroprozessor-Netzteile).

F: Welche Überlegungen gibt es für ungeschirmte Induktivitäten in Hochstromanwendungen?

A: Ungeschirmte Induktivitäten verwenden eine offene magnetische Kreisschaltung mit höherem Streufluss. In Hochstromanwendungen ist auf das PCB-Layout zu achten, um eine magnetische Kopplung zu empfindlichen Signalleitungen oder benachbarten Komponenten zu vermeiden. Für Anwendungen mit strengen EMI-Anforderungen empfehlen wir die Verwendung geeigneter Abschirmmaßnahmen oder die Auswahl von geschirmten Induktivitäten.

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