SMD-Leistungsinduktor mit großer Temperatur (Wide Temp SMD Power Inductor) der SDR-Serie für PDA- und Flashspeicherprogrammierer

Das SDR-Serie ungeschirmter Hochstrom-SMD-Leistungsinduktor verfügt über eine ungeschirmte offene Struktur mit Kostenvorteil als Kernkompetenz. Der Induktivitätsbereich umfasst 1,0 µH bis 1200 µH. Der Nennstrom beträgt bis zu 4,5 A eingesetzt.

Das flache Top-Design ist für die automatische Pick-and-Place-Montage geeignet. Es ist kompatibel mit Dampfphasen- und Infrarot-Reflow-Lötprozessen mit einer Lötwärmebeständigkeit von 260 °C/10 Sekunden eingesetzt.

Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C. Lagertemperatur: -40 °C bis +105 °C eingesetzt.

Es wird häufig in PDAs, Laptop-DC-DC-Wandlern, PDA-Flash-Programmierern, Buck-Boost-Wandlern und Set-Top-Boxen eingesetzt.

• Strom bis 4,5 A
• Großer Strom
• Flaches Top für Pick & Place
• Niedrige Kosten

• Ideal für Palm-Top- und Laptop-DC-DC-Wandler
• PDA's Flash-Speicher
• Aufwärts-, Abwärtswandler
• Top-Box

• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Lagertemperatur: -40 °C bis +105 °C
• Lötverfahren: Dampfphase, Infrarot-Reflow
• Beständigkeit gegen Lötwärme: 260 °C für 10 Sekunden
• Lösungsmittelbeständigkeit: Entspricht MIL-STD-202E

1. TESTFREQUENZ (L) mit HP4284A und HP4285A (gleichwertig akzeptabel)
   • 0-8,2 µH (7,95 MHz) 10-82 µH (2,52 MHz) 100-1200 µH (1 kHz)
2. Toleranz der Induktivität
   • SDR0302 1,0-470 µH ±20 % (M)
   • SDR 0403 1,0-27 µH ±20 % (M) 33-470 µH ±10 % (K)
   • SDR0503 1,0-2,7 µH ±20 % (M) 33-1000 µH ±10 (K)
   • SDR0504 1,0-27 µH ±20 % (M) 33-47 µH ±15 % (L) 56-1000 µH ±10 % (K)
   • SDR0703 10-47 µH ±20 % (M) 56-470 µH ±10 % (K)
   • SDR 0705 10-470 µH ±20 % (M)
   • SDR1004 10-47 µH ±20 % (M) 56-560 µH ±10 % (K)
   • SDR1005 10-39 µH ±20 % (M) 47-820 µH ±10 % (K)
   • SDR1008 10-82 µH ±20 % (M) 100-1200 µH ±10 % (K)
3. DCR: GW813 oder QuadTech 1880 Milliohmmeter
4. IDC Max verringert sich um 10 % gegenüber seinem Anfangswert

Hinweis: Produktspezifikationen können angepasst werden.